Skip to content

Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления Александр Костров

Скачать книгу Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления Александр Костров djvu

Переход на считывающие головки, основанные на эффекте ГМС, был осуществлен практически всеми основными производителями жестких дисков с года [8]. Нобелевская премия по физике этого года была присуждена двум ученым: Купить Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, Александр Костров. Разработка элементов памяти, сочетающих в себе преимущества всех распространенных технологий хранения информации — актуальная задача современной микро- и наноэлектроники. В компьютерах, контроллерах, мобильных устройствах используется одновременно несколько типов полупроводниковой памяти.

эффекте туннельного магнитосопротивления» автора Александр Костров и  Мы бесплатно доставим книгу «Элементы памяти на эффекте туннельного  Разработка элементов памяти, сочетающих в себе преимущества всех Читать ещёКупить книгу «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления» автора Александр Костров и другие произведения в разделе Книги в интернет-магазине tehnorank.ru Доступны цифровые, печатные и аудиокниги.

На сайте вы можете почитать отзывы, рецензии, отрывки. Мы бесплатно доставим книгу «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления» по Москве при общей сумме заказа от рублей. Возможна доставка по всей России.  Разработка элементов памяти, сочетающих в себе преимущества всех распространенных технологий хранения информации – актуальная задача современной микро- и наноэлектроники. Скрыть. Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в  Александр Костров.

Количество страниц Читать ещёОптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти.  Александр Костров. Количество страниц: Скрыть. Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. Цена - руб.  Автор Александр Костров. Читать ещёЭлементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления.

Цена - руб. EAN/UPC/ISBN Code Брэнд LAP LAMBERT Academic Publishing. Автор Александр Костров. Издатель LAP Lambert Academic Publishing. Страниц Скрыть. Авторы: Александр Костров.  Если Вы не читали «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления», Вы можете приобрести её в следующих магазинах Читать ещёАвторы: Александр Костров.

Год: ISBN:   Если Вы не читали «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления», Вы можете приобрести её в следующих магазинах: Купить «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления», Александр Костров в магазинах: RU.

tehnorank.ru руб. При покупке в этом магазине Вы возвращаете на личный счет BM и становитесь претендентом на приз месяца от tehnorank.ru! Скрыть. Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие  Автор.

Александр Костров. Читать ещёОптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти.  Автор. Александр Костров. Издательство. LAP Lambert Academic Publishing. Скрыть. Александр Костров. Купить.  Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе Читать ещёАлександр Костров.

Купить. от 5 руб.  Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти. Скрыть. № 2 (48). УДК Электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления.

А.И. Костров, В.Р. Стемпицкий, Т.Н. Родина, Ал. Данилюк, В.Е. Борисенко. Читать ещё № 2 (48). УДК Электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. А.И. Костров, В.Р. Стемпицкий, Т.Н.

Родина, Ал. Данилюк, В.Е. Борисенко. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки, 6, Минск, , Беларусь. Поступила в редакцию 3 декабря Разработана электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления (МОЗУ — магниторезистивное оперативное запоминающее устройство) в интегральном исполнении на кремнии. Скрыть.

Костров А.И.1, Данилюк А.Л.1, Стемпицкий В.Р.1, Борисенко В.Е.1 1 Белорусский государственный  Разработана динамическая поведенческая модель ячейки спиновой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. Читать ещёКостров А.И.1, Данилюк А.Л.1, Стемпицкий В.Р.1, Борисенко В.Е.1 1 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. Тип: статья в журнале - научная статья Язык: русский.

Номер: 1 Год: Страницы:   Разработана динамическая поведенческая модель ячейки спиновой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. Модель реализует магнитную гистерезисную и временную характеристики на основе уравнения Ландау-Лифшица-Гильберта. Применение модели продемонстрировано для элемента памяти MRAM нового поколения в интегральном исполнении на кремнии. Скрыть.

fb2, rtf, djvu, PDF